“اخبار”

 پژوهشکده علوم نانو - 1392/3/2

سمینار عمومی

مدلسازی اثر میدان متناوب در محدوده گیگاهرتز بر حرکت یونهای پتاسیم در کانال پتاسیمی
سخنران امیر لهراسبی
زمان پنجشنبه ۲ خرداد ماه
ساعت ۱۱ الی ۱۲:۳۰

 
 در این سمینار با استفاده از روش دینامیک مولکولی به شبیه سازی اثر میدان الکتریکی بر حرکت یونهای پتاسیم در یک محیط افت و خیزدار آبی می پردازیم. برای این منظور دستگاه را در دو حالت در نظر می¬گیریم، اول حضور میدان الکتریکی ثابت 0/03 ولت بر نانومتری و سپس حضور مجموع دو میدان ثابت و متناوب گیگاهرتزی. مشاهده می¬شود که یونها در حضور میدان ثابت در راستای کانال شروع به حرکت می کنند در حالی که اعمال مجموع دو میدان باعث کند کردن شارش یونها از درون کانال می¬گردد که در این بحث به توجیح علت این پدیده خواهیم پرداخت. 
 
back to top
scroll left or right